DC-DC 降压恒压系列

型号 封装 输入电压范围 输出电压范围 输出电流范围 输出功率范围 驱动方式 效率 工作模式/频率 工作架构 静态电流
OC5816 SOT23-6 4.5～18V ≤Vi-0.6V ≤2A 12W 同步/内置MOS 固定频率600K 固定频率600K 实地架构 低至260uA
OC5840 ESOP8 4.5～35V ≤Vi-0.6V ≤3.0A 30W 同步/内置MOS 最大96% 可调频率/默认330K 实地架构 低至350uA
OC5826 SOP8 5.5～60V ≤Vi-1V ≤2A 20W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 150uA
OC5822 SOP8 5.5～60V ≤Vi-1V ≤1.5A 18W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 150uA
OC5820 SOP8 5.5～40V ≤Vi-1V ≤2.5A 30W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 150uA
OC5818 SOP8 5.5～30V ≤Vi-1V ≤2.5A 30W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 150uA
OC5823 SOP8 5.5～60V ≤Vi-1V ≤5A 40W 外置MOS 最大95% 可调频率/默认140K 实地架构 150uA
OC5864 SOT23-6 5.5～60V ≤Vi-2V ≤0.6A 8W 内置MOS 最大93% 固定频率500KHZ 实地架构 低至460uA
OC5862 ESOP8 5.5～60V ≤Vi-2V ≤0.8A 14W 内置MOS 最大93% 可调频率最大1MHZ 实地架构 低至460uA
OCE100 ESOP8 8～100V ≤Vi-2V ≤1.2A 12W 内置MOS 最大94% 固定频率150K 实地架构 关机6uA
OC58652 ESOP8 8～60V ≤Vi-2V ≤2.5A 30W 内置MOS 最大95% 固定频率150K 实地架构 关机6uA
OC58658 ESOP8 8～60V ≤Vi-2V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大95% 固定频率150K 实地架构 关机6uA
OC58650 ESOP8 8～100V ≤Vi-2V ≤2A 25W 内置MOS 最大95% 固定频率150K 实地架构 关机6uA
OC58655B MSOP10 8～100V ≤Vi-2V ≤6A 100W 外置MOS 最大95% 固定频率150K 实地架构 关机6uA
OC5809 ESOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤0.8A 10W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OCE200 ESOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5808L ESOP8 8～100V ≤Vi-4V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5802L ESOP8 8～60V ≤Vi-4V ≤3A 25W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5800E ESOP8 8～100V ≤Vi-4V ≤4A 40W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5800L ESOP8 8～100V ≤Vi-4V ≤2A 20W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5801L SOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤10A 120W 外置MOS 最大96% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA
OC5806L ESOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA